北(bei)京(jing)2018年12月5日電 /美通社/ -- 12月3日，《自然》雜志(zhi)發表了(le)一(yi)篇有(you)關下一(yi)代邏輯器件(jian)(jian)(jian)的研究(jiu)(jiu)論文(wen)，作者包括英(ying)(ying)特(te)(te)爾、加州大學伯克(ke)利分校和(he)勞倫斯伯克(ke)利國家(jia)實驗(yan)室的研究(jiu)(jiu)人員(yuan)。這篇論文(wen)描述了(le)一(yi)種由英(ying)(ying)特(te)(te)爾發明(ming)的磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件(jian)(jian)(jian)。相較于(yu)目(mu)前的互(hu)補金屬(shu)氧化物(wu)半導體（CMOS），MESO器件(jian)(jian)(jian)結合超(chao)低(di)休眠(mian)狀(zhuang)態功率，有(you)望把(ba)電壓降(jiang)低(di)5倍(bei)、能耗降(jiang)低(di)10-30倍(bei)。在探(tan)求不(bu)斷微(wei)縮CMOS的同時，英(ying)(ying)特(te)(te)爾一(yi)直在研究(jiu)(jiu)超(chao)越CMOS時代的未來(lai)十年即將出現的計算邏輯選項，推動計算能效提(ti)升，并(bing)跨越不(bu)同的計算架構(gou)促進性能增長。
英特爾資深院士兼(jian)技術與制造事業部探(tan)索性(xing)集成電路組(zu)總監(jian)Ian Young表示，“我們正(zheng)在(zai)研(yan)究(jiu)超越CMOS時代的(de)計算(suan)方案，尋求革命性(xing)而不是演(yan)進性(xing)的(de)突破。MESO以(yi)低壓(ya)互(hu)連和(he)低壓(ya)磁電為(wei)基礎(chu)，將量子材料創新與計算(suan)結(jie)合在(zai)一起。我們對(dui)已經取得的(de)進展(zhan)感到非常興奮，并期待著發揮(hui)其潛力，未來做出進一步降低翻(fan)轉電壓(ya)的(de)演(yan)示。”
英(ying)特爾研究人員(yuan)發明的(de)(de)(de)MESO器件，考慮(lv)到(dao)了(le)未來計算所需的(de)(de)(de)關于存儲器、互連線和邏輯的(de)(de)(de)要求。英(ying)特爾已(yi)經做出了(le)該MESO器件的(de)(de)(de)原型，采用的(de)(de)(de)是在室溫(wen)下(xia)呈現新興(xing)量(liang)子(zi)行(xing)為的(de)(de)(de)量(liang)子(zi)材料，以及由(you)Ramamoorthy Ramesh開發的(de)(de)(de)磁電材料（Ramamoorthy Ramesh就任于加州(zhou)大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室）。MESO還利用了(le)由(you)Albert Fert描述的(de)(de)(de)自旋軌道超導效(xiao)應(ying)（Spin-orbit transduction effects，Albert Fert就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團(tuan)聯合物(wu)理(li)研究組）。
英特爾功能電子(zi)(zi)集成與制造(zao)科(ke)技(ji)中(zhong)(zhong)心(xin)主任、資深科(ke)學(xue)家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基(ji)于(yu)室(shi)溫量子(zi)(zi)材(cai)料開發。它展現了該(gai)技(ji)術的可能性，并(bing)有望在業界、學(xue)術界和各(ge)國(guo)家實驗(yan)室(shi)中(zhong)(zhong)引發新(xin)(xin)一輪創新(xin)(xin)。而這種新(xin)(xin)型計算器件和架構所需的許多(duo)(duo)關(guan)鍵材(cai)料和技(ji)術，還需要進行更多(duo)(duo)開發。”
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