深圳2019年3月8日 /美通社(she)/ -- 全球市場(chang)(chang)研究機構集邦咨詢TrendForce在最(zui)新《中(zhong)國(guo)半導體(ti)產(chan)業(ye)深度分(fen)析報告(gao)》中(zhong)指出，受益于(yu)新能源(yuan)汽車、工業(ye)控制等終端(duan)市場(chang)(chang)需(xu)求(qiu)大(da)量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chan)品持續(xu)缺貨和漲價，帶動了2018年中(zhong)國(guo)功(gong)率(lv)半導體(ti)市場(chang)(chang)規模(mo)大(da)幅成長(chang)12.76%至2,591億元人民(min)幣。其中(zhong)功(gong)率(lv)分(fen)立器件市場(chang)(chang)規模(mo)為(wei)1,874億元人民(min)幣，較(jiao)2017年同(tong)比成長(chang)14.7%；電(dian)源(yuan)管理IC市場(chang)(chang)規模(mo)為(wei)717億元人民(min)幣，較(jiao)2017年同(tong)比增長(chang)8%。
集(ji)邦(bang)咨(zi)詢分析(xi)師謝(xie)瑞峰指出(chu)，功(gong)率半(ban)導體作為需求驅動(dong)型的(de)產業，2019年景氣(qi)仍然持續向(xiang)上。雖(sui)然仍受(shou)到全球貿易不穩定等(deng)因(yin)素影(ying)響，但(dan)在需求驅動(dong)下，受(shou)影(ying)響程度要小于其他IC產品(pin)。集(ji)邦(bang)咨(zi)詢預估，2019年中國功(gong)率半(ban)導體市場規模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長(chang)12.17%，維持雙(shuang)位數(shu)的(de)成長(chang)表現。
受益于(yu)國(guo)(guo)產(chan)替代的(de)政(zheng)策(ce)推動和(he)缺(que)貨漲價的(de)狀況，2018年多(duo)家中國(guo)(guo)本土功率半導體廠(chang)商取得(de)亮眼(yan)的(de)成(cheng)績(ji)，并(bing)擴大(da)布局。其(qi)中，比亞迪(di)微電子(zi)憑借擁有終端(duan)的(de)優勢，在車用(yong)IGBT市場快速崛起，取得(de)中國(guo)(guo)車用(yong)IGBT市場超(chao)過兩(liang)成(cheng)的(de)市占率，一躍(yue)成(cheng)為中國(guo)(guo)銷(xiao)售額(e)前三的(de)IGBT供應商；MOSFET廠(chang)商華(hua)微電子(zi)和(he)揚杰科技營收(shou)大(da)增，并(bing)且逐漸導入IGBT市場。
另外(wai)，新建與規劃中的IGBT產(chan)線(xian)有士蘭微廈門12寸特色工(gong)(gong)藝產(chan)線(xian)、華(hua)潤(run)微電子在重慶建設(she)的12寸特色工(gong)(gong)藝產(chan)線(xian)，以及積塔半(ban)導體專業(ye)汽車(che)級IGBT產(chan)線(xian)等(deng)。同時，多家廠商也投入(ru)研(yan)發(fa)SiC等(deng)新材料技術領域，基本半(ban)導體的SiC MOSFET已(yi)進入(ru)量產(chan)上市，而定位為代工(gong)(gong)的三安(an)光電SiC產(chan)線(xian)也已(yi)開始接單、比亞(ya)迪微電子也已(yi)研(yan)發(fa)成功(gong)SiC MOSFET，其目標(biao)是(shi)到2023年實現SiC MOSFET對(dui)硅基IGBT的全面替代。
展望2019年，從終端需求(qiu)來(lai)看，新(xin)能源(yuan)汽車仍然為中國功率半(ban)導體市場(chang)較(jiao)大需求(qiu)來(lai)源(yuan)，根據(ju)集邦(bang)咨(zi)詢(xun)資料顯示，2019年中國新(xin)能源(yuan)車產(chan)量預估為150萬輛，較(jiao)前(qian)一年成長(chang)45%，其ADAS系統(tong)、電控(kong)以及(ji)充電樁的(de)需求(qiu)將(jiang)帶(dai)動(dong)(dong)功率分立器件(jian)市場(chang)規模(mo)約270億(yi)元。同(tong)時，5G建設(she)所(suo)需的(de)基站設(she)備(bei)及(ji)其普(pu)及(ji)后(hou)帶(dai)來(lai)物(wu)聯(lian)網(wang)、云計(ji)算(suan)的(de)快(kuai)速發展，將(jiang)對功率半(ban)導體產(chan)生(sheng)長(chang)期(qi)大量需求(qiu)，另外，工業自(zi)動(dong)(dong)化規劃持續(xu)推進，與之相(xiang)關的(de)電源(yuan)、控(kong)制、驅動(dong)(dong)電路將(jiang)持續(xu)推升中國功率半(ban)導體的(de)采購。
從供應端(duan)來(lai)看，2019年(nian)雖然有(you)3-5條功(gong)率產(chan)線(xian)將進入量產(chan)，但根據集邦咨詢預計，2019年(nian)前三季度功(gong)率分立(li)器件(jian)產(chan)品(pin)缺(que)貨情況(kuang)恐難(nan)有(you)明(ming)顯好轉，多家廠(chang)商的產(chan)品(pin)價格預期(qi)仍將上(shang)漲(zhang)。從廠(chang)商的技術發展(zhan)來(lai)看，SiC MOSFET有(you)望進一步(bu)提高在車用領域對(dui)硅基(ji)IGBT的替代(dai)率，硅基(ji)IGBT則有(you)望向(xiang)更低功(gong)耗(hao)、更高效率的方向(xiang)繼續發展(zhan)。
