北京2020年2月20日 /美通社/ -- 德州儀器（TI）（納(na)斯達(da)克：TXN）今日推出了業界更小的采用四方扁平無(wu)引線封裝（QFN）的36V、4A電(dian)源(yuan)模塊(kuai)。 DC/DC降壓模塊(kuai)5mm x 5.5mm的面積使工程師能夠將其電(dian)源(yuan)尺(chi)寸縮小30%，同時(shi)將功率損耗減少(shao)到(dao)其他同類模塊(kuai)的50%。新電(dian)源(yuan)模塊(kuai)配(pei)有一(yi)個導熱墊來優化(hua)熱傳遞，使工程師能夠簡化(hua)電(dian)路(lu)板安裝和(he)布局。如需了解更多信息(xi)、樣品和(he)評估模塊(kuai)，敬(jing)請訪問 。

TPSM53604可在高達105°C的(de)環(huan)境(jing)溫度下運行，能夠支持工廠自動化和(he)(he)控制、電(dian)網基礎設(she)施(shi)、測(ce)試和(he)(he)測(ce)量、工業(ye)運輸、航空航天(tian)和(he)(he)國防等領域的(de)堅固(gu)應用。

通過將TPSM53604與(yu)緊湊的(de)降壓模塊（如和(he)）配(pei)對，工程師可以創建從24-V輸(shu)入(ru)一直到(dao)負載(zai)點的(de)完整電源(yuan)解決方案，同時(shi)最大限度地(di)減少設計時(shi)間和(he)精力。

TPSM53604的優勢與特點

• 縮小并簡化電源解決方案：其總面積為85mm²的單面布局是常見24V、4A工業應用的更小解決方案。標準QFN封裝有助于簡化設計，從而縮短上市時間。
• 實現高溫環境下的有效散熱：TPSM53604的QFN封裝面積的42%與電路板接觸，與另一種備選方案，即球柵陣列（BGA）封裝相比，能夠實現更高效的熱傳遞。此外，該模塊的降壓轉換器集成了MOSFET和低漏極至源極電阻(R_DS(on))，使24 V到5 V下的轉換效率能夠達到90%。如要了解更多詳細信息，請觀看視頻“”。
• 輕松達到EMI標準：TPSM53604的集成高頻旁路電容器和缺乏接合線有助于工程師滿足CISPR（國際無線電干擾特別委員會）11 B級限制規定的電磁干擾（EMI）標準。

封裝、供貨情況

現(xian)(xian)可從TI和授(shou)權(quan)經(jing)銷(xiao)商處(chu)購買5mm x 5.5mm的QFN封裝。可在IT.com上(shang)購買。（2A）和（3A）模(mo)塊現(xian)(xian)已投產，可從TI和授(shou)權(quan)經(jing)銷(xiao)商處(chu)購買。

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