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宜普電源轉換公司(EPC)全新推出ePower(TM)功率級集成電路系列

重新定義功率轉換、專為48 V DC/DC轉換而設計
2020-03-20 16:29 9499
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出80 V、12.5 A 的功率級集成電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新集成電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。80 V、12.5 A功率級集成電路的尺寸為3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米。

北(bei)京2020年3月20日 /美通社/ -- )宣(xuan)布推出80 V、12.5 A 的功(gong)率級(ji)集成電(dian)路,專為(wei)而設計,用于具(ju)有(you)高功(gong)率密度的運算(suan)應(ying)用及(ji)針對電(dian)動(dong)車的電(dian)機驅動(dong)器(qi)。

 

是一個單芯片驅動器并配以基于氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)、采用(yong) EPC 專有的(de)氮(dan)化(hua)鎵集成電(dian)(dian)路(lu)(lu)技術的(de)半橋(qiao)功率(lv)級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電(dian)(dian)平轉換(huan)電(dian)(dian)路(lu)(lu)、自舉充電(dian)(dian)電(dian)(dian)路(lu)(lu)、柵極(ji)驅(qu)動器的(de)緩沖電(dian)(dian)路(lu)(lu)及(ji)(ji)配(pei)置為半橋(qiao)器件的(de)輸出(chu)氮(dan)化(hua)鎵場效(xiao)應晶體管,從(cong)而(er)實現芯片級 LGA 封裝及(ji)(ji)細小的(de)外形(xing)尺寸(3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米)。

當(dang)48 V 轉(zhuan)到12 V 的(de)降壓轉(zhuan)換器在(zai)1 MHz 的(de)開(kai)關頻率(lv)下工(gong)作, ePower 功率(lv)級(ji)集(ji)成電(dian)路(lu)可實現高于96% 的(de)峰值效率(lv),相(xiang)比(bi)采(cai)用多個(ge)分(fen)立(li)器件的(de)解決方(fang)案,這(zhe)個(ge)集(ji)成電(dian)路(lu)在(zai) PCB 的(de)占(zhan)板面積少33%。其峰值效率(lv)比(bi)分(fen)立(li)式 MOSFET 或(huo)基于單片 MOSFET 集(ji)成電(dian)路(lu)的(de)功率(lv)級(ji)優勝很多。

 是該系列的首個產品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝(CSP)及多芯片四方偏平模塊(QFM)的功率級 IC。在未來一年內將推出可在高達3至5 MHz 頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15 A 至30 A 的產品

該產品系列使得設計師可以容易發揮氮化鎵技術的性能優勢。集成多個器件在單片上(shang),設(she)計師可以(yi)更容易設(she)計、布局(ju)、組裝、節省占板面積及(ji)提高效率。

宜普電源轉換公司首席執行官兼共同創辦人 Alex Lidow “分立式(shi)功(gong)率晶體管(guan)正在進(jin)入它的(de)(de)最后發展(zhan)階段(duan)。硅(gui)基氮(dan)(dan)化(hua)鎵集成(cheng)電路可以(yi)實(shi)現更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)性能(neng)、占(zhan)板面積更(geng)小,省卻很多(duo)所(suo)需(xu)工(gong)程。” Alex 繼續(xu)說:“這個全新(xin)功(gong)率級集成(cheng)電路系(xi)列是氮(dan)(dan)化(hua)鎵功(gong)率轉換領域的(de)(de)最新(xin)發展(zhan)里程,從(cong)集成(cheng)多(duo)個分立式(shi)器件,以(yi)至集成(cheng)更(geng)復雜的(de)(de)解決(jue)方(fang)案都可以(yi),從(cong)而實(shi)現硅(gui)基解決(jue)方(fang)案所(suo)不(bu)能(neng)實(shi)現的(de)(de)電路性能(neng)、使得功(gong)率系(xi)統(tong)工(gong)程師(shi)可以(yi)更(geng)容易(yi)設(she)計出高(gao)(gao)效的(de)(de)功(gong)率系(xi)統(tong)。”

是一塊半橋開發板(ban)(ban)(ban),其最(zui)高器件(jian)電壓是80 V、最(zui)高輸(shu)出電流為12. 5 A,內含 ePower? 功(gong)率級集成電路()。該板(ban)(ban)(ban)的尺寸為兩英寸乘兩英寸(50.8 毫(hao)米(mi)乘50.8 毫(hao)米(mi)),可實現最(zui)優開關(guan)性(xing)能。開發板(ban)(ban)(ban)包含所有重要(yao)元件(jian),讓工程師(shi)容(rong)易對  進行評估。

ePower 功率級集成電路()及(ji)其開發板 可以(yi)立即從 Digikey 公司購買( )。

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供貨商,為首家公司推出替代功率 MOSFET 器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN )場效應晶體管及集成電路之一,其目標應用包括、 、 、射頻傳送、、 及 等應用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基于 eGaN IC 的產品系列,為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問宜普的網站,網址為 。eGaN® 是(shi) Efficient Power Conversion Corporation 宜普電(dian)源轉換公司的注冊商標。

消息來源:宜普電源轉換公司
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