首爾2020年7月(yue)2日 /美通(tong)社/ -- SK海力士(shi)（或‘公(gong)司’，）宣布開(kai)始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公(gong)司去年8月(yue)宣布完(wan)成HBM2E開(kai)發僅十個月(yue)之后的成果(guo)。

SK海力(li)士(shi)的(de)(de)(de)HBM2E以每個(ge)pin 3.6Gbps的(de)(de)(de)處(chu)理速度，通過1,024個(ge)I/Os（Inputs/Outputs, 輸(shu)(shu)入/輸(shu)(shu)出）能夠(gou)每秒(miao)處(chu)理460GB的(de)(de)(de)數據。這速度相當(dang)于能夠(gou)在一秒(miao)內傳輸(shu)(shu)124部全(quan)高(gao)清（FHD）電(dian)影（每部3.7GB），是(shi)目(mu)前業(ye)界速度最快的(de)(de)(de)DRAM解決(jue)方(fang)案(an)。不僅如(ru)此(ci)，公司的(de)(de)(de)HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shu)將8個(ge)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(da)到了16GB，是(shi)前一代HBM2容量的(de)(de)(de)兩倍以上。

HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學習加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用于在未來主導氣候變化、生物醫學、宇宙探索等下一代基礎、應用科學領域研究的Exascale 超級計算機（能夠在一秒內執行一百億億次計算的計算機）。

吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）表示：“SK海力士通過開發世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引領著有助于人類文明發展的新一代技術革新。公司將通過本次HBM2E量產強化高端存儲器市場上的地位，并倡導第四次工業革命。”

注解

• HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）
  -相較傳統DRAM，借助TSV技術飛躍性地提升數據處理速度的高性能、高帶寬存儲器產品
• TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術）
  - 在DRAM芯片打上數千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術
  - 該技術在緩沖芯片（buffer chip）上將數個DRAM芯片堆疊起來，并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。
  - 相較傳統封裝方式，該技術能夠縮減30%體積，并降低50%能耗。
• 數據處理速度換算規則
  - 1GB = 8Gb
  - 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1,024個數據I/Os進行運算 = 3686.4Gbps
  - 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB換算)
  

關于SK海力士

SK海力(li)士總部位于韓(han)國(guo)(guo), 是一(yi)家全(quan)球(qiu)(qiu)領先(xian)的半導體(ti)供應商, 為(wei)全(quan)球(qiu)(qiu)客戶提(ti)供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖(tu)像傳感器)等半導體(ti)產品。公(gong)司于韓(han)國(guo)(guo)證(zheng)券(quan)交易所上市, 其全(quan)球(qiu)(qiu)托存股份(fen)于盧森堡證(zheng)券(quan)交易所上市。若想了解更(geng)多, 請點擊公(gong)司網站(zhan), 。