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以色列耐斯茨奧納2020年12月16日 /美通社/ -- VisIC Technologies Ltd公司，汽車高壓應用氮化鎵（GaN）器件的全球領導者，自豪地宣布其新的低導通電阻產品發布。針對電動汽車逆變器應用，此款產品將有助于提高電機控制器效率，降低整機制造成本。新的8毫歐姆產品是支持客戶和改進電源轉換系統的持續努力中的又一步驟。
“與VisIC上一代產品相比，V8 產品將當前功率提高了一倍，電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動汽車應用客戶改進其逆變器系統，在尺寸、功率和成本方面更高效地實現設計目標。V8 產品是我們長期努力提供基于 D3GaN 技術更(geng)好解決方案的(de)(de)又一進(jin)步(bu)。新產品(pin)的(de)(de)改進(jin)工作(zuo)是(shi)和我(wo)們領先(xian)的(de)(de)客戶密切合作(zuo)完(wan)成的(de)(de)，為電(dian)動(dong)(dong)汽(qi)車的(de)(de)核心電(dian)氣(qi)驅(qu)動(dong)(dong)系統帶來(lai)有意(yi)義的(de)(de)改進(jin)，高(gao)功率牽引逆(ni)變器應用也可以此(ci)實現更(geng)高(gao)的(de)(de)功率密度。”VisIC市(shi)場(chang)營(ying)銷(xiao)高(gao)級副總裁(cai)蘭·索弗先(xian)生補(bu)充說。
新(xin)產品的額定參數為 8毫歐姆、650伏(fu)特、200安培(pei)，與同類 IGBT 或 SiC 器件相比(bi)，在相同電(dian)流(liu)范圍內可(ke)(ke)實現顯著(zhu)降低的開(kai)關損耗。客戶可(ke)(ke)以將該新(xin)產品集成到分立封(feng)裝和功率(lv)模塊設計中。這項(xiang)新(xin)技術可(ke)(ke)節(jie)省功率(lv)損耗，特別是在大電(dian)流(liu)電(dian)動汽車逆(ni)變(bian)器系統的功率(lv)循(xun)環測(ce)試中。
與現有的硅晶圓技術相比較，對于寬禁帶器件SiC和GaN來說，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰。由于D3 GaN平臺的(de)(de)精心設計，以及(ji)VisIC公司制(zhi)造(zao)合作伙(huo)伴臺積電的(de)(de)卓越制(zhi)造(zao)，使得200安培(pei) GaN功率晶體管的(de)(de)突(tu)破(po)成為可能(neng)。這一(yi)突(tu)破(po)將使電動汽車受益于GaN的(de)(de)高(gao)效(xiao)技(ji)術(shu)，實現(xian)更具成本效(xiao)益的(de)(de)電動汽車設計，助力(li)于更綠(lv)色和清(qing)潔的(de)(de)地球(qiu)。
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