韓國(guo)首爾2021年7月(yue)12日 /美通社/ -- SK海(hai)力士（或(huo)“公司(si)”，）宣布已于7月(yue)初開始量產(chan)適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移動(dong)端DRAM產(chan)品。
* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuan)為(wei)移動終端開發的(de)低功耗DRAM規(gui)格。“DDR” 為(wei)電子工程(cheng)設(she)計發展(zhan)聯合協會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱(cheng)JEDEC)規(gui)定的(de)DRAM規(gui)格標準名稱(cheng)，DDR1-2-3-4為(wei)其(qi)順序(xu)進行換代。 |
圖1. SK海(hai)力士(shi)開始量產采用EUV技術(shu)的(de)第四代10納米級DRAM
自從10納米級(ji)(ji)DRAM產(chan)品(pin)開始(shi)(shi)，半導體業內(nei)將(jiang)每一代(dai)工藝(yi)節(jie)點(dian)都(dou)以標注英文字母的方式起名(ming)，此次SK海力(li)士量產(chan)的1a納米級(ji)(ji)工藝(yi)是繼1x（第(di)一代(dai)）、1y（第(di)二代(dai)）、1z（第(di)三(san)代(dai)）之(zhi)后的第(di)四代(dai)工藝(yi)節(jie)點(dian)。公司(si)預計(ji)從下半年(nian)開始(shi)(shi)向(xiang)智能手機廠商供(gong)應適用(yong)1a納米級(ji)(ji)技術的移(yi)動端DRAM。
此次(ci)量(liang)產(chan)(chan)的產(chan)(chan)品是SK海(hai)力士首(shou)次(ci)采用EUV技術(shu)進行量(liang)產(chan)(chan)的DRAM，其意義非凡。SK海(hai)力士在(zai)此前生產(chan)(chan)1y納米級產(chan)(chan)品過程中(zhong)曾部(bu)分采用了EUV技術(shu)，事(shi)先(xian)完成(cheng)了對其穩(wen)定性的驗證。
* EUV (Extreme Ultraviolet)：指利(li)用極紫外(wai)線的光刻設備 |
工(gong)藝(yi)的(de)極度細微化趨勢使半(ban)導體廠(chang)商陸續導入(ru)EUV設備，并將(jiang)其(qi)投入(ru)在晶圓上繪制電(dian)路的(de)光刻工(gong)藝(yi)當中。業界認(ren)為(wei)采(cai)用EUV技術(shu)的(de)水平將(jiang)成(cheng)為(wei)今后決定(ding)(ding)技術(shu)領導地(di)位的(de)重要因(yin)素(su)。SK海(hai)力士通過此次量產(chan)確(que)保了EUV工(gong)藝(yi)技術(shu)的(de)穩定(ding)(ding)性，并表(biao)示未來(lai)的(de)1a納米級 DRAM都(dou)將(jiang)采(cai)用EUV工(gong)藝(yi)進行生產(chan)。
SK海(hai)力(li)士(shi)期待通過新產(chan)(chan)品生產(chan)(chan)效率的(de)(de)提(ti)升(sheng)得以確保(bao)更(geng)高(gao)的(de)(de)成本(ben)競爭力(li)。相較前一(yi)代1z納米(mi)級(ji)工(gong)藝的(de)(de)同樣規(gui)格產(chan)(chan)品，1a納米(mi)級(ji)DRAM在(zai)每一(yi)張晶圓中(zhong)可產(chan)(chan)出的(de)(de)產(chan)(chan)品數量(liang)約提(ti)高(gao)了25%。在(zai)今年全(quan)球(qiu)DRAM需求(qiu)持續增長(chang)的(de)(de)背景下，公(gong)司期待1a納米(mi)級(ji)DRAM在(zai)全(quan)球(qiu)存(cun)儲半導體供需中(zhong)扮演重(zhong)要角(jiao)色。
此次新產(chan)(chan)品穩定支持 LPDDR4 移動端DRAM規格的最高速(su)度（4266Mbps），并(bing)相較前一代產(chan)(chan)品其功(gong)耗也降低了約20%. SK海力(li)士認為(wei)此次新產(chan)(chan)品進一步強(qiang)化(hua)了低功(gong)耗的優勢，助力(li)碳排放量的減(jian)少，充分(fen)體現了SK海力(li)士注(zhu)重(zhong)ESG（環(huan)境、社會、公司治理(li)）經營的精(jing)神理(li)念。
在本次LPDDR4產品之(zhi)后，SK海力士還(huan)計劃從明(ming)年初開始將1a納(na)米級工藝導入于去年十月推出的全球首款(kuan)DDR5 DRAM。
SK海力士(shi)1a納米(mi)級DRAM領(ling)導(dao)小組（Task Force）的曹永萬(wan)副社長表示(shi)：“此次量(liang)產(chan)的1a納米(mi)級DRAM在生產(chan)效率和成本競爭力層面都有改善，從而可(ke)以期待更高的盈(ying)利。通過將(jiang)EUV技(ji)術全面導(dao)入量(liang)產(chan)程序，SK海力士(shi)有望進一步鞏固引領(ling)尖端技(ji)術的高新企(qi)業地位。”
