德國慕尼黑(hei)和奧地利菲拉(la)赫2024年(nian)9月12日 /美通社/ -- 英飛(fei)凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fa)出全(quan)球首項(xiang)300 mm氮化鎵（GaN）功率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)晶圓(yuan)技術。英飛(fei)凌是(shi)全(quan)球首家在(zai)現有且可擴展(zhan)的(de)大規模生(sheng)產環境中掌握這一突破性技術的(de)企業。這項(xiang)突破將極大地推動GaN功率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)市場的(de)發(fa)展(zhan)。相較于(yu) 200 mm晶圓(yuan)，300 mm晶圓(yuan)芯片生(sheng)產不僅在(zai)技術上更先(xian)進，也因為(wei)晶圓(yuan)直徑的(de)擴大，每(mei)片晶圓(yuan)上的(de)芯片數量增加(jia)了 2.3 倍，效率(lv)也顯著提高。
基于GaN的(de)(de)(de)功率半導體正在工業、汽(qi)車、消費、計算和(he)通信(xin)應用(yong)中快速普及，包(bao)括AI系統電(dian)(dian)源、太陽能逆變器、充電(dian)(dian)器和(he)適配器以及電(dian)(dian)機控制系統等。先進(jin)的(de)(de)(de)GaN制造工藝能夠提高(gao)器件性能，為(wei)終端客(ke)(ke)戶(hu)的(de)(de)(de)應用(yong)帶(dai)來(lai)諸多好(hao)處，包(bao)括更(geng)高(gao)的(de)(de)(de)效率、更(geng)小的(de)(de)(de)尺寸、更(geng)輕的(de)(de)(de)重量和(he)更(geng)低的(de)(de)(de)總成(cheng)本(ben)。此外，憑借可擴展性，300 mm制造工藝在客(ke)(ke)戶(hu)供應方面(mian)具(ju)有極高(gao)的(de)(de)(de)穩(wen)定(ding)性。
英(ying)飛(fei)凌(ling)科技首席(xi)執行官(guan)Jochen Hanebeck表示(shi)："這項重大(da)成功是英(ying)飛(fei)凌(ling)的創(chuang)新實力和(he)全球(qiu)團(tuan)隊努力工作的結果，進一步展現了我(wo)們(men)在(zai)GaN和(he)功率系(xi)統(tong)領(ling)域創(chuang)新領(ling)導(dao)者(zhe)的地位。這一技術(shu)突破將推動行業變革，使我(wo)們(men)能夠充分挖掘GaN的潛力。在(zai)收購GaN Systems近一年后，我(wo)們(men)再次展現了在(zai)快速增長的GaN市場(chang)成為(wei)(wei)領(ling)導(dao)者(zhe)的決心。作為(wei)(wei)功率系(xi)統(tong)領(ling)域的領(ling)導(dao)者(zhe)，英(ying)飛(fei)凌(ling)掌握了全部三種相關(guan)材料，即：硅(gui)、碳化(hua)硅(gui)和(he)氮化(hua)鎵。"
英飛(fei)凌已在其位于奧地利菲拉(la)赫（Villach）的功率半(ban)導體晶圓(yuan)廠(chang)中，利用現有300 mm硅生(sheng)產設備的整合試產線，成功地生(sheng)產出(chu)300 mm GaN晶圓(yuan)。英飛(fei)凌正通過(guo)現有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟產能發揮其優(you)勢，同時還將(jiang)(jiang)根據市場需求(qiu)進一(yi)步擴大GaN產能。憑借300 mm GaN制程技術，英飛(fei)凌將(jiang)(jiang)推動(dong)GaN市場的不斷增長。據估計，到(dao)(dao)2030年末(mo)，GaN市場規(gui)模將(jiang)(jiang)達到(dao)(dao)數十億(yi)美元(yuan)。
這一(yi)開(kai)創性(xing)的技術成(cheng)就彰顯了英飛(fei)凌在全球功率系統和物(wu)聯網(wang)半導體領(ling)域(yu)的領(ling)導者地位。英飛(fei)凌正通過(guo)布局300 mm GaN技術，打造更具成(cheng)本(ben)效(xiao)益(yi)價值、能夠滿足(zu)客(ke)戶系統全方位需求(qiu)的產(chan)品，以加強(qiang)現(xian)有解決(jue)方案并使新(xin)的解決(jue)方案和應用(yong)領(ling)域(yu)成(cheng)為可能。2024年11月(yue)，英飛(fei)凌將在慕尼黑電子展(zhan)（）上(shang)向公(gong)眾展(zhan)示(shi)首批300 mm GaN晶圓。
由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300 mm GaN技術的一大優勢是可以利用現有的 300 mm硅制造設備。英飛凌現有的大批量300 mm硅生產線非常適合試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN的全規模化生產將有助于實現GaN與硅的成本在同一RDS(on) 級(ji)別能夠(gou)接近，這意味著(zhu)同(tong)級(ji)的硅和GaN產品的成本將能夠(gou)持平(ping)。
300 mm GaN是英飛(fei)凌戰略創新領導(dao)地(di)位的又(you)一里程(cheng)碑(bei)，將助(zhu)推(tui)英飛(fei)凌低碳化(hua)和數字化(hua)使命的達成。
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英飛(fei)凌科(ke)技股份公(gong)司(si)(si)是(shi)全(quan)球(qiu)功率系統和(he)物聯(lian)網(wang)領域的(de)半導(dao)體領導(dao)者。英飛(fei)凌以(yi)其產品和(he)解決方案推動(dong)低碳化和(he)數字化進(jin)程。該公(gong)司(si)(si)在(zai)(zai)全(quan)球(qiu)擁有(you)約(yue)58,600名員(yuan)工(gong)，在(zai)(zai)2023財(cai)年（截至9月30日）的(de)營(ying)收約(yue)為163億歐(ou)元(yuan)。英飛(fei)凌在(zai)(zai)法蘭克(ke)福(fu)證(zheng)券交易所上市（股票代(dai)碼(ma)：IFX），在(zai)(zai)美國的(de)OTCQX國際場外(wai)交易市場上市（股票代(dai)碼(ma)：IFNNY）。
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英飛凌(ling)科(ke)技(ji)股(gu)份公司于(yu)1995年(nian)正式(shi)進入中(zhong)(zhong)國大陸市(shi)場。自1995年(nian)10月在無錫建立第一家(jia)企業以來，英飛凌(ling)的業務取得(de)非常迅速的增(zeng)長，在中(zhong)(zhong)國擁有約(yue)3,000多名員工(gong)，已經(jing)成為英飛凌(ling)全球業務發展的重要推(tui)動力。英飛凌(ling)在中(zhong)(zhong)國建立了(le)涵蓋生產(chan)、銷(xiao)售(shou)、市(shi)場、技(ji)術支持(chi)等在內的完整的產(chan)業鏈，并在銷(xiao)售(shou)、技(ji)術應用支持(chi)、人才培養等方面與國內領(ling)先的企業、高等院校開展了(le)深入的合作。
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