北京2017年9月22日(ri)電 /美通社/ -- 9月19日(ri)，“英特(te)爾精(jing)尖制造日(ri)”活動在北京舉(ju)行，展現了(le)英特(te)爾全球領(ling)先的(de)制程工藝創新(xin)力和領(ling)導力。這次活動上，英特(te)爾也披(pi)露了(le)正在推進的(de)前(qian)沿技術研發(fa)項目，從而以不(bu)斷(duan)的(de)突破(po)和創新(xin)，繼(ji)續(xu)引領(ling)半導體產業的(de)發(fa)展。

英特爾表示，自己的前沿研究部門資助多家大學院校和學術機構，共同開展多種前沿研究課題，活動上公布了這些課題的一些具體信息，內容如下：

納(na)米(mi)線晶體管被認為是(shi)未來技術的(de)一(yi)種(zhong)選擇(ze)，因為納(na)米(mi)線的(de)結構(gou)可提供改進(jin)通(tong)道靜(jing)電，從(cong)而(er)進(jin)一(yi)步(bu)實現晶體管柵(zha)極長度的(de)微縮。

硅是 MOSFET 通道(dao)中經常使用的材料(liao)，但是 III-V 材料(liao)（如(ru)砷化鎵和磷(lin)化銦）改進了(le)載(zai)流子遷(qian)移率，從而提供更高的性(xing)能或(huo)者能夠(gou)在更低(di)(di)的電壓和更低(di)(di)的有功(gong)功(gong)耗下運行晶體管。

硅晶片的(de) 3D 堆疊有機會(hui)實現系統集成，以便把不(bu)同的(de)技術混裝到一個很小(xiao)的(de)地(di)方。

多種不同的高密度內(nei)存(cun)選擇，其中包括易失性和(he)非易失性存(cun)儲(chu)技術，正在探索和(he)開發中。

對(dui)于精尖制程技術來說，微縮互(hu)聯(lian)和微縮晶體管(guan)一(yi)樣重要(yao)。新的材料和圖(tu)案成形技術正在(zai)探索中，以支持(chi)高密度互(hu)聯(lian)。

極(ji)紫外（EUV）光刻技(ji)術(shu)采用(yong)13.5納(na)(na)米(mi)波長，由于當今的(de)193納(na)(na)米(mi)波長工具已(yi)達到其微(wei)縮極(ji)限，該技(ji)術(shu)正在研發中以實現(xian)進一步(bu)的(de)微(wei)縮。

自旋電子是一種(zhong)(zhong)超越(yue) CMOS 的(de)(de)技(ji)術，當 CMOS 無法(fa)再進行微縮的(de)(de)時候，這是一種(zhong)(zhong)選擇，可提供非(fei)常密集和低功(gong)耗的(de)(de)電路。

神(shen)經(jing)元計(ji)(ji)算(suan)是一(yi)種不同的處理器設計(ji)(ji)和架(jia)構(gou)，能夠(gou)以比(bi)當(dang)前計(ji)(ji)算(suan)機高得多的能效執行某些計(ji)(ji)算(suan)功能。

過去15年來，英(ying)特爾在制程工(gong)藝方(fang)面推出的(de)所有重要創新均得到行業的(de)廣泛采(cai)納，而(er)通過不斷的(de)前沿(yan)探索和突破，英(ying)特爾將(jiang)繼(ji)續(xu)傲(ao)然立于(yu)半導體行業發展的(de)潮頭(tou)。