深圳2020年11月27日 /美通社/ -- 隨著5G、IoT技(ji)術(shu)的持(chi)續發展，智能電子設備對小容量存儲(chu)產品的可靠性、穩(wen)定性和兼容性方面提出了更(geng)高的要求(qiu)。

江波龍(long)電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE順應信(xin)息時代(dai)發展潮(chao)流，繼2019年年底推出FBGA 96封(feng)裝(zhuang)的DDR3L產品后，近(jin)期再次(ci)推出了FBGA 78封(feng)裝(zhuang)的DDR3L，在工藝(yi)、速度、功耗和穩定性(xing)上皆保持行(xing)業(ye)領先水平。

【一】  產品信息

為行業客戶提供多種選擇方案

【二】  主要應用

滿足網絡通信、智能終端等數據緩存需求

FORESEE DDR3L目(mu)前主要應(ying)用于IPC、機(ji)頂盒、AI音箱、TV、GPON、POS機(ji)、OTT、無人機(ji)等領(ling)域中，其中，FBGA 96封裝(zhuang)的DDR3L產品已經(jing)穩(wen)定出貨，FBGA78封裝(zhuang)的產品已成功量(liang)產。

【三】  產品優勢

• 多項嚴苛測試，可靠性高

江波龍(long)電子中山產(chan)業園(yuan)于(yu)2019年建(jian)成(cheng)并(bing)投入使用(yong)(yong)，設有眾(zhong)多專業實(shi)驗室和實(shi)驗設備(bei)，旗下(xia)產(chan)品均采(cai)用(yong)(yong)自主撰(zhuan)寫的測(ce)試用(yong)(yong)例進行(xing)測(ce)試，為產(chan)品提供可(ke)信(xin)度高的測(ce)試環境。

生(sheng)產(chan)測(ce)(ce)(ce)試(shi)作為質量管(guan)理的其中一道程序，對(dui)產(chan)品可靠(kao)性(xing)起著至關重要的作用。FORESEE DDR3L生(sheng)產(chan)測(ce)(ce)(ce)試(shi)包括高(gao)溫老化、高(gao)溫壓力測(ce)(ce)(ce)試(shi)、高(gao)低溫功能測(ce)(ce)(ce)試(shi)、性(xing)能測(ce)(ce)(ce)試(shi)4大類，共(gong)40多個子測(ce)(ce)(ce)試(shi)項，為行(xing)業客(ke)戶提供高(gao)可靠(kao)性(xing)的產(chan)品。

• 多個平臺驗證，兼容性強

FORESEE DDR3L作為符合JEDEC標準(zhun)的(de)存儲(chu)產品之一(yi)，在(zai)產品開發(fa)過程中提前布局主流(liu)平臺的(de)驗證，能夠有效避免(mian)兼容性問題的(de)發(fa)生。

江波龍(long)電子與(yu)多個(ge)(ge)主(zhu)芯(xin)(xin)片平臺建立了戰(zhan)略合作關系，FORESEE DDR3L產品(pin)已在HiSilicon、MTK、Amlogic、 Mstar、RockChip、Allwinner、GOKE、TouchMore等主(zhu)流平臺的55個(ge)(ge)主(zhu)芯(xin)(xin)片型號(hao)申請(qing)驗(yan)(yan)證，24個(ge)(ge)完成AVL驗(yan)(yan)證，還有31個(ge)(ge)正在驗(yan)(yan)證中，基(ji)本(ben)涵蓋市面(mian)上的主(zhu)芯(xin)(xin)片型號(hao)，能夠(gou)兼容不同應用場景(jing)。

【四】  產品特性：

• 采用25nm制程，工藝更先進

相比起(qi)傳統的38nm制(zhi)程(cheng)，FORESEE DDR3L采用(yong)了(le)更先(xian)進、更主流(liu)的25nm制(zhi)程(cheng)。在成本可(ke)控的前提下，對產品(pin)性(xing)能進行了(le)升級，也降低(di)了(le)待機和工作電流(liu)。

• 符合JEDEC標準，適用性廣泛

FORESEE DDR3L嚴格按照(zhao)JESD79-3F標準進(jin)行研(yan)發，目前已(yi)通過JEDEC標準嚴格的(de)可靠性驗證（如： 1000小(xiao)時(shi)的(de)HTOL、LTOL等(deng)），在市場上獲得廣泛(fan)采用。

• 高速頻率，提升數據傳輸效率

FORESEE DDR3L具有(you)高(gao)(gao)速(su)時鐘頻(pin)率(lv)，能(neng)夠實現高(gao)(gao)效(xiao)讀寫(xie)，讀取(qu)速(su)度高(gao)(gao)達(da)1066MHz，傳輸速(su)率(lv)高(gao)(gao)達(da)2133Mbps，為同類產品(pin)中(zhong)的最高(gao)(gao)速(su)率(lv)，極大了提(ti)升數據傳輸效(xiao)率(lv)。

• ZQ校準，保證信號完整性

ZQ作為DDR3L新(xin)增(zeng)的(de)引(yin)腳，其接有一個240歐姆(mu)的(de)低公差參考電阻。這個引(yin)腳通過片上校準引(yin)擎（ODCE，On-Die Calibration  Engine）來自動校驗數(shu)據輸(shu)出(chu)驅動器導通電阻與ODT（On-Die Termination）的(de)電阻值，以保證良(liang)好的(de)信號(hao)完整性。

• 更低功耗，有效延長產品使用壽命

低壓(ya)(ya)工(gong)(gong)作模(mo)式：相(xiang)比1.5V工(gong)(gong)作電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，1.35V電(dian)(dian)壓(ya)(ya)能夠進一步(bu)降低功(gong)耗，同時(shi)1.35V電(dian)(dian)壓(ya)(ya)也是(shi)目前(qian)同類產品中的最(zui)低電(dian)(dian)壓(ya)(ya)。

溫(wen)度(du)(du)自動(dong)刷(shua)新：啟(qi)動(dong)后，內置于(yu)DRAM芯片的溫(wen)度(du)(du)傳感器將控制刷(shua)新頻率，在保證數(shu)據不丟失(shi)的情況下降低(di)工作溫(wen)度(du)(du)，從而(er)降低(di)功(gong)耗。

局部自刷(shua)新(xin)：可選擇只刷(shua)新(xin)部分邏輯Bank，最大限度減少因刷(shua)新(xin)而(er)產生的(de)電力消耗(hao)(hao)，以(yi)達到降低功耗(hao)(hao)的(de)目的(de)。

復位(wei)：當它執行命令時，DDR3L將(jiang)停止(zhi)所有操作(zuo)，并切換至最少量活(huo)動的(de)狀態，以節省(sheng)功耗(hao)。

結語：

FORESEE DDR3L作為江波龍(long)電子微存儲事(shi)業(ye)部的(de)(de)其中(zhong)一類產品(pin)(pin)，始終貫徹江波龍(long)電子優(you)秀(xiu)的(de)(de)質量管理能力和高標準(zhun)的(de)(de)生產良率，為行業(ye)客(ke)戶帶(dai)來優(you)質的(de)(de)產品(pin)(pin)、便捷的(de)(de)服務和順(shun)暢(chang)的(de)(de)供應鏈管理。

微(wei)存儲事業(ye)部成(cheng)立3年來(lai)，其產品已(yi)在全(quan)(quan)球(qiu)超(chao)過200家客戶(hu)上成(cheng)功量產，并通過了(le)25家主流平臺和100+主控型號(hao)的AVL驗(yan)證(zheng)，總出貨量超(chao)過1億顆，在適用性(xing)(xing)、可靠性(xing)(xing)、兼(jian)容(rong)性(xing)(xing)上全(quan)(quan)方位(wei)滿足行(xing)業(ye)客戶(hu)對(dui)小容(rong)量、小形化存儲產品的多種需求。