深(shen)圳(zhen)2022年7月(yue)14日(ri) /美通社/ -- 先進存儲半導體技術廠商之一三星電子今天宣布，三星首款具有24Gbps處理速度的16Gb GDDR6（第六代圖形用雙倍數據傳輸率存儲）顯存已開始出貨。該款新顯存采用三星第三代10納米級（1z）*工藝和(he)極紫外光（EUV）技術，旨在顯著(zhu)提升下一(yi)代顯卡（視頻圖形陣(zhen)列）、筆(bi)記本電(dian)腦、游戲(xi)機以及基(ji)于人工智能(neng)的應用和(he)高性能(neng)計算（HPC）系統的圖形性能(neng)。

三星(xing)電子存儲器產(chan)品企(qi)劃(hua)團(tuan)隊執行副(fu)總裁Daniel Lee表示："如今(jin)AI和(he)元宇(yu)宙帶(dai)來的(de)數據量激增，推動高(gao)性能(neng)圖形處理需(xu)求的(de)增長，需(xu)要以極高(gao)速度處理海量數據集。目前，三星(xing)的(de)首款24Gbps GDDR6正在送樣(yang)中，我(wo)們(men)期望這款產(chan)品在下一代GPU平臺上能(neng)得到驗證，并及時將其推向市場，以滿足(zu)新的(de)需(xu)求。"

三星24Gbps GDDR6采(cai)用(yong)創新的(de)電(dian)路(lu)設(she)計，以及盡可能減少電(dian)流泄漏的(de)高度先進的(de)絕(jue)緣(yuan)材料（高K金屬柵(zha)極(ji)），速度與此前18Gbps產(chan)品相(xiang)比(bi)提升30%。當集成至高端顯卡時，可于一秒(miao)內傳輸高達1.1TB的(de)數據，相(xiang)當于約(yue)275部全高清電(dian)影。

三星GDDR6顯存在設計上完(wan)全符(fu)合(he)JEDEC（聯合(he)電子設備工程委員(yuan)會(hui)）的規(gui)范，兼容(rong)所(suo)有GPU設計，使之可廣泛應用于市場上更多圖形解決方案(an)。

三星全(quan)新(xin)GDDR6系(xi)列(lie)產(chan)品還將具有低功耗選(xuan)項，幫助(zhu)延(yan)長筆記本電(dian)腦(nao)的(de)電(dian)池壽(shou)命，產(chan)品將提(ti)供20Gbps和16Gbps版本。其(qi)搭載(zai)的(de)動(dong)態電(dian)壓(ya)開關（DVS）技術(shu)，可根據性能要求(qiu)調整工(gong)(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)。工(gong)(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)為1.1V時，與1.35V GDDR6行業標(biao)準(zhun)相比(bi)，能效提(ti)高約20%。

顯存的(de)需求在(zai)(zai)PC、筆記本電(dian)(dian)腦、游戲(xi)機，乃至更(geng)多重度圖形處理(li)場景，如高性能(neng)計算（HPC）、自動駕(jia)駛(shi)和電(dian)(dian)動汽車(che)中日趨增加。針(zhen)對這些新興領域，三星GDDR6可在(zai)(zai)提供對資(zi)源要求極高的(de)AI加速(su)器以負載支持的(de)同(tong)時，實現無縫的(de)4K或8K視頻播放。

三星在(zai)全球顯存(cun)(cun)市場保持優勢地(di)位(wei)。預計在(zai)未(wei)來幾年(nian)，高性能顯存(cun)(cun)在(zai)整(zheng)體顯存(cun)(cun)市場的占比(bi)，將實現每(mei)年(nian)兩位(wei)數的增長。

隨著客(ke)戶驗(yan)證在月內開展及新GPU平臺(tai)的發布，三星(xing)計劃同步(bu)推進24Gbps GDDR6顯存商用化，繼(ji)而助推整個高速計算市場的圖形技術革新。

*三星第一代(dai)(dai)10納米級DRAM代(dai)(dai)號為(wei)(wei)1x，后續第二代(dai)(dai)為(wei)(wei)1y，第三代(dai)(dai)為(wei)(wei)1z，第四代(dai)(dai)為(wei)(wei)1a，以此類推。

*本文(wen)中的(de)產(chan)品(pin)圖片以及型號、數(shu)據(ju)、功能(neng)、性能(neng)、規格參數(shu)等僅供參考，三(san)星有(you)可能(neng)對上(shang)述內(nei)容進行改(gai)進，具體(ti)信息請參照產(chan)品(pin)實(shi)物(wu)、產(chan)品(pin)說明(ming)書或三(san)星半導體(ti)官網（//semiconductor.samsung.com/cn/）。除非(fei)經特(te)殊說明(ming)，本網站中所(suo)涉(she)及的(de)數(shu)據(ju)均為三(san)星內(nei)部測試(shi)結果，涉(she)及的(de)對比均為與三(san)星產(chan)品(pin)相(xiang)比較。