深圳(zhen)2020年11月(yue)8日 /美通(tong)社/ -- 作為(wei)全球(qiu)化(hua)的(de)(de)半導體企(qi)業，正如在(zai)2022年(nian)度(du)閃存(cun)峰會和(he)2022年(nian)度(du)三(san)星(xing)內存(cun)技術日上(shang)所承(cheng)諾的(de)(de)，三(san)星(xing)今日宣布，已(yi)開(kai)始量產(chan)(chan)三(san)星(xing)產(chan)(chan)品中(zhong)具(ju)有(you)最(zui)高(gao)存(cun)儲(chu)密(mi)度(du)的(de)(de)1Tb（太(tai)字(zi)節）三(san)比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的(de)(de)全新V-NAND在(zai)目前三(san)星(xing)V-NAND中(zhong)具(ju)有(you)最(zui)高(gao)的(de)(de)存(cun)儲(chu)密(mi)度(du)，可為(wei)全球(qiu)企(qi)業系統提供容量更大、密(mi)度(du)更高(gao)的(de)(de)存(cun)儲(chu)解決方案。
三星電子第八(ba)代V-NAND，1Tb
三星(xing)閃存(cun)產(chan)品與技術執(zhi)行副(fu)總(zong)裁SungHoi Hu表(biao)示："市場對更(geng)高(gao)密度、更(geng)大容量(liang)存(cun)儲的需(xu)求(qiu)，推動了V-NAND層數的增(zeng)加，三星(xing)采(cai)用3D縮放(fang)（3D scaling）技術，減少(shao)表(biao)面積并降低(di)高(gao)度，同時避免(mian)了縮小時通(tong)常(chang)會發生的單元間的干擾。我(wo)們的第8代V-NAND將有(you)助于滿足快速增(zeng)長(chang)的市場需(xu)求(qiu)，更(geng)好地提供差異化(hua)產(chan)品和(he)解決方案，有(you)望成為未(wei)來(lai)存(cun)儲創新的基礎。"
三星電子第八代V-NAND，1Tb（晶(jing)圓背景(jing)）
通過這項技術，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。基于最新NAND閃存標準Toggle DDR 5.0接口*的三星(xing)第(di)8代V-NAND，其輸(shu)入和(he)輸(shu)出（I/O）速度高(gao)達2.4 Gbps（千(qian)兆(zhao)比特每(mei)秒），相比上一(yi)代提(ti)升(sheng)了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和(he)更(geng)高(gao)版本PCIe 5.0的性能(neng)要求。
三星第(di)8代V-NAND有望(wang)成為(wei)存(cun)儲(chu)配置(zhi)的基(ji)石，幫助擴展下(xia)一代企業服務器的存(cun)儲(chu)容量，同時其(qi)應用范圍還將拓(tuo)展至可靠性尤為(wei)重要的車載市場(chang)。
*編者按：Toggle DDR接口版本——1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1200Mbps）和5.0（2400Mbps）
*本文中(zhong)的(de)產(chan)品(pin)圖片以及型號、數(shu)據、功能、性能、規格參數(shu)等僅供參考，三星有可能對(dui)上述內(nei)容進(jin)行(xing)改(gai)進(jin)，具體(ti)(ti)信息請參照產(chan)品(pin)實物、產(chan)品(pin)說明書或三星半(ban)導(dao)體(ti)(ti)官(guan)網()。除非經特殊(shu)說明，本網站中(zhong)所涉及的(de)數(shu)據均(jun)為三星內(nei)部測試結(jie)果，涉及的(de)對(dui)比(bi)均(jun)為與三星產(chan)品(pin)相比(bi)較。
