新竹2024年3月15日 /美通(tong)社/ -- 全(quan)球客(ke)制化存(cun)儲芯(xin)片(pian)解決(jue)方案設計(ji)公司愛普(pu)科技今日宣布，新一代硅(gui)電(dian)容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通(tong)過客(ke)戶(hu)(hu)驗(yan)證(zheng)，此產品具備超高電(dian)容密度(du)及超薄(bo)(<100um薄(bo)度(du))等(deng)優勢(shi)，可在先進封裝(zhuang)制程中與系統(tong)單芯(xin)片(pian)(SoC)進行(xing)彈性客(ke)制化整合，滿足客(ke)戶(hu)(hu)在高端手機(ji)及高性能計(ji)算(HPC)芯(xin)片(pian)的應用需(xu)求。

愛普科技的S-SiCap^?使用先進的堆棧式電容技術(Stack Capacitor)開發，相比傳統深溝式電容技術(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCap? Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm²，操作電(dian)壓最高可支持1.2V，同時具有相當低的等效串(chuan)聯(lian)電(dian)感(Equivalent Series Inductance)及(ji)等效串(chuan)聯(lian)電(dian)阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能(neng)提供優(you)異的穩壓能(neng)力。

S-SiCap?具有(you)超薄、客制(zhi)化(hua)尺寸的特(te)色，在先(xian)進封裝制(zhi)程中，能(neng)滿足多樣整合(he)應用(yong)并且與SoC更(geng)接近。例如：接腳側硅(gui)電(dian)容(S-SiCap? on the landside)、封裝基板內埋硅(gui)電(dian)容(S-SiCap? embedded in package substrate)、2.5D封裝應用(yong)硅(gui)電(dian)容(S-SiCap? for 2.5D packaging)、硅(gui)電(dian)容中介層(ceng)(S-SiCap? in an interposer)等。

愛普科技總經理洪志勛表示，在高端手機及HPC芯片的應用趨勢中，SoC需提供更高的效能，但同時可能會伴隨功耗增加、電壓不穩的情況，客戶為了穩定電壓，對電容規格的要求也會提高，優化產品整體表現。愛普新一代S-SiCap^? Gen3超越傳統(tong)電(dian)(dian)容(rong)，電(dian)(dian)容(rong)密度(du)更高、更薄、應(ying)用更多元(yuan)，可搭配先進封(feng)裝制程大幅(fu)提升SoC效能，在目前市場上極(ji)具優勢。

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愛(ai)普(pu)科技股(gu)份有(you)限公司(TWSE:6531)是無晶圓廠客(ke)制(zhi)化存儲芯(xin)片設計(ji)和IP解(jie)(jie)決方(fang)案(an)的(de)半導體公司。產(chan)(chan)品包括(kuo)：IoT存儲芯(xin)片產(chan)(chan)品(IoTRAM?)、AI存儲芯(xin)片解(jie)(jie)決方(fang)案(an)(VHM?)、硅電容(rong)(S-SiCap?)。愛(ai)普(pu)科技擁有(you)強大的(de)研發能力，長(chang)期致力為移動(dong)通信、穿戴設備(bei)、物(wu)聯網、高(gao)端手機(ji)應用、高(gao)性能計(ji)算(suan)、邊緣計(ji)算(suan)等領域，提供(gong)高(gao)效能、低功耗的(de)創新客(ke)制(zhi)化芯(xin)片及解(jie)(jie)決方(fang)案(an)，協助(zhu)全球制(zhi)造商打造更具競爭(zheng)力的(de)產(chan)(chan)品。

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