深圳(zhen)2024年9月4日(ri) /美通社/ -- 隨(sui)著消費(fei)者對電(dian)子產(chan)品(pin)耐用(yong)性(xing)(xing)和性(xing)(xing)能(neng)的期(qi)望(wang)日(ri)益增(zeng)長，市場上(shang)對元器件的選擇(ze)標準(zhun)也在不斷(duan)提高(gao)。在眾(zhong)多關鍵(jian)組(zu)件中，NAND Flash因其在數據存儲(chu)(chu)和處理速(su)度上(shang)的核心作用(yong)，成為(wei)了廠商們尤為(wei)重視的焦點。在這一(yi)背景下，NAND Flash不僅(jin)需(xu)要滿足(zu)基本的存儲(chu)(chu)需(xu)求，更要在性(xing)(xing)能(neng)、可靠性(xing)(xing)以及耐用(yong)性(xing)(xing)上(shang)達到更高(gao)的標準(zhun)。客戶期(qi)望(wang)的不再僅(jin)僅(jin)是(shi)"夠用(yong)"，而(er)是(shi)"超越期(qi)望(wang)"。
近日，在ELEXCON2024深圳國際電子展上，江波龍(long)首次提出了PTM（存儲產(chan)品技術制(zhi)造）商業模(mo)式(shi)。該(gai)模(mo)式(shi)的核心在于整合公司的自研存儲芯片、固件、硬(ying)件和先(xian)進封測制(zhi)造技術，實現更(geng)靈活、更(geng)高(gao)效的全棧式(shi)定制(zhi)化服務和一站式(shi)交付。
同時(shi)，江波龍(long)還正式(shi)公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列(lie)產(chan)品，以創新技術滿足市場對(dui)高(gao)性能、高(gao)可(ke)靠(kao)性的閃存(cun)需求，為(wei)PTM商業模式(shi)下(xia)的自研存(cun)儲芯片注入了新動力(li)。
全新制程工藝 業界領先性能
新(xin)一(yi)代的(de)FORESEE SLC NAND Flash在(zai)技(ji)術層(ceng)面實(shi)(shi)現(xian)了(le)(le)(le)重大突破。產品采用2xnm工(gong)藝(yi)，不僅實(shi)(shi)現(xian)了(le)(le)(le)業界(jie)領先的(de)166MHz工(gong)作頻(pin)率，而且在(zai)電路(lu)(lu)設(she)計上(shang)進行了(le)(le)(le)創(chuang)新(xin)，有效降(jiang)低(di)(di)了(le)(le)(le)噪聲干擾，實(shi)(shi)現(xian)數(shu)據的(de)快速讀(du)寫。在(zai)性能(neng)及(ji)容量(liang)不斷提升的(de)同時，各應(ying)用場(chang)景對于可靠性和(he)微型化的(de)要求(qiu)并未降(jiang)低(di)(di)。工(gong)程師(shi)團隊針對不同SoC方案，通過(guo)高精度電路(lu)(lu)和(he)改進的(de)讀(du)寫算法，集成(cheng)了(le)(le)(le)具有更強糾(jiu)錯能(neng)力的(de)片(pian)上(shang)ECC引擎。在(zai)保(bao)持小尺寸的(de)基礎上(shang)，FORESEE SLC NAND Flash具備(bei)更卓(zhuo)越的(de)數(shu)據保(bao)持能(neng)力和(he)擦(ca)寫耐用性。
經過(guo)江波龍全面的測試流程驗證，該產(chan)品能夠滿(man)足10萬次擦寫性(xing)能和10年數據保(bao)持時間的嚴苛要(yao)求。
自研Flash芯片 探索多元選擇
FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供(gong)SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)兩種(zhong)主流接口選項，并提供(gong)2Gb、4Gb和8Gb等多種(zhong)容量選擇，支持(chi)-40~85℃至(zhi)-40~105℃的(de)寬溫(wen)工作(zuo)環(huan)境(jing)，確保(bao)在極端環(huan)境(jing)下也能(neng)穩定運(yun)行。此外，WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的(de)多樣(yang)化封(feng)裝形式，為不同應用(yong)場(chang)景提供(gong)了(le)靈活(huo)的(de)集成設(she)計方(fang)案。該款產(chan)品廣泛應用(yong)于xPON、WiFi路由(you)器、IPC、MIFI和CPE等市場(chang)，為智能(neng)設(she)備提供(gong)了(le)強大的(de)數(shu)據(ju)存儲支持(chi)。
迎接WiFi7時代 定制客戶未來所需
以無線路由器設備為(wei)例，當前(qian)WiFi5&6使(shi)用(yong)的(de)(de)主流閃存(cun)容量為(wei)1Gbit甚至容量更小(xiao)的(de)(de)128Mbit，但隨著WiFi7路由器、FTTR等高性能設備逐漸開始商(shang)用(yong)，需要使(shi)用(yong)2Gbit SLC NAND Flash才能夠滿(man)足其系統要求。同(tong)時，當前(qian)主流的(de)(de)SPI NAND Flash主頻規格為(wei)120MHz，未來(lai)隨著AI及邊(bian)緣計(ji)算的(de)(de)規模化發展，133MHz和(he)166MHz的(de)(de)更高主頻規格將有望成為(wei)市場"新寵"。
FORESEE團隊深刻理解客戶(hu)需(xu)求，為了滿足市場對(dui)讀取性能(neng)的需(xu)求，FORESEE 2Gb SPI NAND Flash產品(pin)支持DTR模(mo)式(shi)，在(zai)不(bu)升頻的情況下(xia)(xia)，支持時鐘(zhong)上升沿及下(xia)(xia)降沿接收地址信(xin)息并(bing)傳送(song)數據，并(bing)在(zai)Quad SPI模(mo)式(shi)下(xia)(xia)實現了數據吞吐量的顯著提升。此(ci)外，團隊通過不(bu)斷優化芯片設計(ji)，產品(pin)還加(jia)入了內(nei)部(bu)cache的頁數據搬移技術，極(ji)大提高了文(wen)件(jian)系(xi)統效率(lv)和關鍵數據的調用效率(lv)。
控制器與Flash設計+固件開發+封測制造
存儲芯片完整垂直整合能力
通過在(zai)NAND Flash、主控芯片和封測制造能力(li)的一(yi)系(xi)列布局，江(jiang)波龍在(zai)技(ji)術(shu)、制程工藝、產能效率以及(ji)供應鏈(lian)管理(li)等方面實現了(le)質的飛躍，進一(yi)步提升在(zai)存儲(chu)(chu)芯片領域(yu)的綜合(he)(he)競爭力(li)。從芯片設計到(dao)產品(pin)測試，再到(dao)規模化量產，江(jiang)波龍已構建起(qi)存儲(chu)(chu)芯片完(wan)整的垂(chui)直整合(he)(he)能力(li)，為客戶提供一(yi)站式存儲(chu)(chu)產品(pin)技(ji)術(shu)制造的全棧定(ding)制服務。
未來，江(jiang)波龍(long)研發團(tuan)隊將不斷深化SLC NAND Flash芯片(pian)設(she)計能力，持(chi)續(xu)優(you)化產品規格(ge)，增(zeng)強(qiang)SLC NAND Flash的(de)易用(yong)性，為MLC NAND Flash的(de)自主批量生產做好充分(fen)準備，以適應(ying)不斷變(bian)化的(de)市場需求。同時，公司將繼續(xu)深入挖(wa)掘(jue)NAND Flash、DRAM、主控芯片(pian)的(de)應(ying)用(yong)潛力，并融(rong)合(he)前(qian)瞻性技(ji)術，尋求更(geng)先進的(de)工藝節點來設(she)計產品，從而加強(qiang)產品線的(de)協同效(xiao)應(ying)，實(shi)現存(cun)儲性能與成本效(xiao)益的(de)最優(you)平衡，更(geng)好地服務全(quan)球客(ke)戶。
