杭州2021年9月16日 /美通社/ -- 2021年8月17日(ri)，中(zhong)欣晶(jing)(jing)圓首根12寸(cun)(cun)450公斤(jin)(jin)投(tou)(tou)(tou)料(liao)晶(jing)(jing)棒問世，該晶(jing)(jing)棒凈重(zhong)437.7kg，體(ti)長2900mm，身長2400mm，良(liang)率達到87.6%，相較于之前300公斤(jin)(jin)投(tou)(tou)(tou)料(liao)量時的(de)良(liang)率提高了(le)4.6個(ge)百分(fen)點。9月5日(ri)喜報再(zai)次傳來，第二根12寸(cun)(cun)450公斤(jin)(jin)投(tou)(tou)(tou)料(liao)晶(jing)(jing)棒再(zai)次拉制成功(gong)，參數(shu)指標與第一根晶(jing)(jing)棒相差無(wu)異，公司目前已經具(ju)備標準(zhun)化量產(chan)12寸(cun)(cun)450公斤(jin)(jin)投(tou)(tou)(tou)料(liao)晶(jing)(jing)棒的(de)技術和工藝水平(ping)。在全球范圍內，中(zhong)欣晶(jing)(jing)圓是極少(shao)數(shu)幾家能(neng)做到成功(gong)拉制12寸(cun)(cun)450公斤(jin)(jin)投(tou)(tou)(tou)料(liao)晶(jing)(jing)棒的(de)半導體(ti)硅片企業。

中(zhong)欣晶圓投料晶棒研(yan)發團隊相關人員表示：此次“超重(zhong)”晶棒的拉制成功對企(qi)業具有(you)里程碑(bei)式的意義，其優勢在于：

一、實現工藝提升

在晶棒拉制過程中，投料越多對工藝、單晶爐臺控制精度都會有更高的要求。由于32寸石英坩堝一次性最多能裝340公斤的多晶硅料，所以投料量增加至450公斤必須要采用二次投料技術來實現。自中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒研發項目成立以來，研發團隊在前期8寸二次投料基礎之上，根據12寸單晶爐結構設計配套使用二次投料工裝。順利完成所有部件組裝后，研發小組在空爐情況下進行試用，并最終成功實現連續2根12寸450公斤投料晶棒的拉制，帶動工藝提升。未來中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒將會形成標準化量產。

二、有效(xiao)提升產量和良率

大(da)質(zhi)量(liang)晶(jing)棒(bang)的拉制成功使得(de)(de)中欣(xin)晶(jing)圓月產量(liang)得(de)(de)以提升，與此(ci)同時，大(da)質(zhi)量(liang)晶(jing)棒(bang)長度(du)增加(jia)提升了單根晶(jing)棒(bang)的可(ke)利用率，有(you)助于提升12寸硅片的良率和穩定性。

三、實現降本增效

大質量(liang)晶(jing)棒在直徑相同的情(qing)況之下，意味著長度的增(zeng)(zeng)(zeng)(zeng)加，頭料和尾料相應減(jian)少(shao)，從而能夠提升晶(jing)棒的可(ke)利用(yong)率，實(shi)現降低(di)成(cheng)本增(zeng)(zeng)(zeng)(zeng)加效(xiao)益；另一方面投料量(liang)增(zeng)(zeng)(zeng)(zeng)加，使(shi)用(yong)同樣坩堝及輔材(cai)增(zeng)(zeng)(zeng)(zeng)加產出，節省坩堝和輔材(cai)使(shi)用(yong)量(liang)，降低(di)成(cheng)本。 

中欣晶圓擁有國內先進的半導體硅片生產線，是國內極少數能量產12英寸大硅片的半導體材料企業，目前具有6英寸及以下40萬片/月、8英寸45萬片/月、12英寸10萬片/月的產能，將在2022年12英寸擁有20萬片/月生產能力，產品為拋光片(重摻/輕摻/Cop-free)和外延片，主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅動芯片（Display Driver IC）等。中欣晶圓苦心專研技術，已在12英寸重摻砷低電阻率2.3—3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破，達到國內外先進水平，并開始向國內外客戶供應正片。

在國(guo)(guo)產替代的(de)(de)大(da)背(bei)景下，中(zhong)欣晶(jing)圓堅持面向(xiang)國(guo)(guo)家半導(dao)體行(xing)業(ye)的(de)(de)重(zhong)大(da)戰略需求，以(yi)發(fa)展(zhan)中(zhong)國(guo)(guo)半導(dao)體材料為己任，在技術上勇于突破，為大(da)硅(gui)片國(guo)(guo)產化做(zuo)出應有的(de)(de)貢獻。