上海2013年3月19日電 /美通社/ -- 盛美半導體設備（上海）有限公司今天在 Semicon China上(shang)(shang)宣布了(le)2013年第一(yi)季度一(yi)舉獲(huo)得兩(liang)臺(tai)單(dan)(dan)片背面清(qing)洗(xi)(xi)機(ji)訂(ding)單(dan)(dan)，分別來自上(shang)(shang)海華虹 NEC 電(dian)子(zi)有限公司(si)(si)以(yi)及(ji)中科院微電(dian)子(zi)所。這(zhe)兩(liang)臺(tai)背面清(qing)洗(xi)(xi)機(ji)的(de)(de)訂(ding)單(dan)(dan)，反映了(le)盛(sheng)美(mei)在技(ji)術(shu)上(shang)(shang)不(bu)斷推陳(chen)出新，填補(bu)了(le)國內(nei)單(dan)(dan)片背面清(qing)洗(xi)(xi)機(ji)的(de)(de)空白。通過技(ji)術(shu)上(shang)(shang)的(de)(de)不(bu)斷創新，提高了(le)公司(si)(si)的(de)(de)核心競爭力。

該單片(pian)背面清(qing)洗機(ji)的(de)晶圓夾具(ju)基于伯努利原理(li)設計(ji)，同時植(zhi)入(ru)了新(xin)的(de)背面夾具(ju)設計(ji)（專利申請中(zhong)），不但可(ke)以通過一路(lu)氮氣有效地保護(hu)正面，還(huan)可(ke)通過另一路(lu)氮氣任意控制晶圓與夾具(ju)之間(jian)的(de)距(ju)離，方便工藝(yi)控制及機(ji)械手拿取(qu)晶圓。

“這兩(liang)臺訂單的(de)成功獲得，標志著盛(sheng)美的(de)單片清洗設備擴展到了背(bei)面清洗及(ji)刻蝕領域。”盛(sheng)美半導體設備公(gong)司(si)的(de)創(chuang)始人、首(shou)席執(zhi)行官王暉博士說，“創(chuang)造具(ju)有差異性的(de)專利可以保護的(de)技(ji)術，是盛(sheng)美一(yi)貫追求(qiu)的(de)目標，我們(men)將沿著這一(yi)方(fang)向扎(zha)扎(zha)實(shi)實(shi)向前邁進(jin)。”

該單片背面清洗機(ji)可(ke)裝備盛美的(de) SAPS 兆(zhao)聲波(bo)(bo)技術，以獲得更好的(de)晶(jing)圓背面顆粒去除效果。SAPS:  Space alternative phase shift, 空間(jian)(jian)交變(bian)相位(wei)移(yi)兆(zhao)聲波(bo)(bo)技術，通過控制(zhi)兆(zhao)聲波(bo)(bo)發生器與晶(jing)圓之間(jian)(jian)的(de)間(jian)(jian)距，使兆(zhao)聲波(bo)(bo)能量(liang)均一(yi)地分布在晶(jing)圓表(biao)面。

盛美半(ban)導體單片(pian)背面(mian)清(qing)洗(xi)(xi)機主要應用(yong)于集成電路制造和先進封(feng)裝(zhuang)晶圓背面(mian)清(qing)洗(xi)(xi)及濕法蝕刻工(gong)(gong)藝(yi)。該單片(pian)清(qing)洗(xi)(xi)機可(ke)采用(yong)的(de)(de)清(qing)洗(xi)(xi)藥液有 DHF、DHF+HNO3、TMAH、 KOH 等集成電路領域(yu)常用(yong)藥液，通過工(gong)(gong)藝(yi)配方的(de)(de)設定，可(ke)以獲得滿意的(de)(de)蝕刻均(jun)一性(xing)及顆(ke)粒去(qu)除效果，對于二氧化硅薄(bo)膜，片(pian)內均(jun)一性(xing)可(ke)達(da)到2%。

關于盛美

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